MgO和SiO_2对ZnO压敏电阻电性能的影响 |
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引用本文: | 南策文,诸培南.MgO和SiO_2对ZnO压敏电阻电性能的影响[J].电瓷避雷器,1985(4). |
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作者姓名: | 南策文 诸培南 |
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作者单位: | 武汉建材学院,华东化工学院 |
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摘 要: | 本文研究了MgO和SiO_2对ZnO—Bi_2O_3—Sb_2O_3系统ZnO压敏电阻电性能的影响。加入适量的MgO(4~8mol%)和SiO_2(0.2~0.5mol%),主要能通过调整显微结均参数,改善材料结构均匀性和致密性来提高材料的性能。
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