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近邻软磁层(SAL)偏置型磁阻头的微磁学分析
引用本文:张明生,章吉良,蔡炳初.近邻软磁层(SAL)偏置型磁阻头的微磁学分析[J].新电脑,1996(6).
作者姓名:张明生  章吉良  蔡炳初
作者单位:上海交通大学信息存储研究中心
摘    要:本文采用微磁学的方法,计算SAL偏置型磁阻头的磁阻元件(MR)的电流和膜厚、SAL的膜厚以及MR与SAL之间的距离对偏置的影响,同时计算了MR元件的电阻车随信号场的变化,为SAL偏置型磁阻头的设计和改进提供理论依据。

关 键 词:微磁学,磁阻磁头,偏置
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