| 开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应 |
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| 引用本文： | 胡靖,穆甫臣,许铭真,谭长华. 开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应[J]. 半导体学报, 2002, 23(3): 290-295. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.03.012 |
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| 作者姓名： | 胡靖 穆甫臣 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 摩托罗拉先进产品研究与发展实验室基金 |
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| 摘 要： | 在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外,和有着线性关系,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数,但是如果对于不同厚度的氧化层,采用不同的m与n,Hu的模型仍然成立.在这个结果的基础上,Hu的寿命预测模型能用于更薄的氧化层.
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| 关 键 词： | HCI 热载流子效应 氧化层厚度效应 寿命预测模型 器件可靠性 |
Oxide Thickness Effects on n-MOSFETs Under On-State Hot-Carrier Stress |
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| Hu Jing,Mu Fuchen,Xu Mingzhen and Tan Changhua. Oxide Thickness Effects on n-MOSFETs Under On-State Hot-Carrier Stress[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(3): 290-295. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.03.012 |
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| Authors: | Hu Jing Mu Fuchen Xu Mingzhen Tan Changhua |
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| Abstract: | Hot carrier induced (HCI) degradation of surface channel n MOSFETs with different oxide thicknesses is investigated under maximum substrate current condition.Results show that the key parameters m and n of Hu's lifetime prediction model have a close relationship with oxide thickness.Furthermore,a linear relationship is found between m and n .Based on this result,the lifetime prediction model can be expended to the device with thinner oxides. |
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| Keywords: | HCI hot carrier effect oxide thickness effect lifetime prediction model device reliability |
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