| 三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究 |
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| 引用本文： | 刘智辉,田雷,李玉玲,尹延昭.三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究[J].传感器与微系统,2015,34(3). |
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| 作者姓名： | 刘智辉 田雷 李玉玲 尹延昭 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 采用非光敏苯并环丁烯(BCB)进行MEMS压阻式加速度敏感芯片三层结构制作.BCB键合具有工艺温度低、键合表面要求低等特点,适用于芯片的圆片级封装.但是固化过程中BCB粘度随温度升高而下降,流动性变大,在毛细作用的影响下沿着微小间隙流淌,导致可动部件粘连,器件失效.通过控制BCB厚度、增加BCB阻挡槽解决了可动部件粘连问题,制作了三层硅结构的加速度敏感芯片.样品漏率小于1.0×10-10pa.m3/s,键合剪切强度大于20 MPa,能够满足航天、工业、消费电子等各领域的应用需求.
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| 关 键 词： | 微机电系统 三层硅 加速度计 苯并环丁烯 键合 毛细作用 |
Research on BCB bonding process of acceleration sensitive chip made of three-layer Si wafer |
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| LIU Zhi-hui,TIAN Lei,LI Yu-ling,YIN Yan-zhao.Research on BCB bonding process of acceleration sensitive chip made of three-layer Si wafer[J].Transducer and Microsystem Technology,2015,34(3). |
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| Authors: | LIU Zhi-hui TIAN Lei LI Yu-ling YIN Yan-zhao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS three-layer Si accelerometer BCB bonding capillary-effect |
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