| Si基CdTe复合衬底分子束外延研究 |
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| 引用本文： | 陈 路 王元樟 巫 艳 吴 俊 于梅芳 乔怡. Si基CdTe复合衬底分子束外延研究[J]. 激光与红外, 2005, 35(11): 857-860 |
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| 作者姓名： | 陈 路 王元樟 巫 艳 吴 俊 于梅芳 乔怡 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083 |
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| 摘 要： | 文章引入晶格过渡的Si/ZnTe /CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错。通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题。在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4. 4μm Si/CdTe (211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe (211)双晶平均水平相当。
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| 关 键 词： | 硅基 碲镉汞 复合衬底 分子束外延 |
| 文章编号： | 1001-5078（2005）11-0857-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-26 |
| 修稿时间： | 2005-08-26 |
Mbe Growth of Si/CdTe( 211 ) Composite Substrates |
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| CHEN Lu,WANG Yuan-zhang,WU Yan,WU Jun,YU Mei-fang,QIAO Yi-min,HE Li. Mbe Growth of Si/CdTe( 211 ) Composite Substrates[J]. Laser & Infrared, 2005, 35(11): 857-860 |
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| Authors: | CHEN Lu WANG Yuan-zhang WU Yan WU Jun YU Mei-fang QIAO Yi-min HE Li |
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| Affiliation: | Research Center for advanced Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences Shanghai ,200083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si substrates HgCdTe MBE |
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