| 纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制 |
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| 引用本文： | 金飞,张维佳,贾士亮,丁照崇,闫兰琴,王天民,李国华. 纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 333-336 |
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| 作者姓名： | 金飞 张维佳 贾士亮 丁照崇 闫兰琴 王天民 李国华 |
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| 作者单位： | 金飞（北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083）;张维佳（北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083）;贾士亮（北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083）;丁照崇（北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083）;闫兰琴（北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083）;王天民（北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083）;李国华（中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083） |
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| 摘 要： | 通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n -nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高.
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| 关 键 词： | PECVD 太阳能电池 半导体薄膜 纳米硅薄膜 层状薄膜 太阳能电池 Thin Film Solar Cells Layer Silicon Films Nanocrystalline 非晶硅太阳电池 填充因子 短路电流 开路电压 结构 晶面衍射峰 薄膜表面 影响 程度 存在 晶粒大小 晶态比 元素对 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0333-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-12 |
Monotonous Linearity Varying Stratified Nanocrystalline Silicon Films and as p-i-n Layer in Thin Film Solar Cells |
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| Jin Fei,Zhang Weijia,Jia Shiliang,Ding Zhaochong,Yan Lanqin,Wang Tianmin,Li Guohua. Monotonous Linearity Varying Stratified Nanocrystalline Silicon Films and as p-i-n Layer in Thin Film Solar Cells[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 333-336 |
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| Authors: | Jin Fei Zhang Weijia Jia Shiliang Ding Zhaochong Yan Lanqin Wang Tianmin Li Guohua |
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