| 硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制 |
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| 引用本文： | 莫春兰,方文卿,刘和初,周毛兴,江风益. 硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制[J]. 高技术通讯, 2005, 15(5): 58-61 |
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| 作者姓名： | 莫春兰 方文卿 刘和初 周毛兴 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 863计划项目 (2 0 0 3AA3 0 2 160 )，电子信息产业发展基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN多量子阱IED外延片。为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配，引入了AIN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层，在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN多量子阱LED外延材料。在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3．7～4．1V之间，电致发光波长在465～480nm之间，87％的LED管芯的反向漏电流不大于0．1μA，输出光强为18～30mcd。
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| 关 键 词： | InGaN 多量子阱 LED 材料生长 Si（111）衬底 低压金属有机化学气相沉积 硅衬底 研制 反向漏电流 晶格失配 Si衬底 外延材料 工作电压 发光波长 外延片 缓冲层 IED 热失配 AIN 管芯 |
Growth and device characteristic of InGaN MQW LED on Si substrate |
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| Mo Chunlan,Fang Wenqing,Liu Hechu,Zhou Maoxing,Jiang Fengyi. Growth and device characteristic of InGaN MQW LED on Si substrate[J]. High Technology Letters, 2005, 15(5): 58-61 |
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| Authors: | Mo Chunlan Fang Wenqing Liu Hechu Zhou Maoxing Jiang Fengyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si substrate MOCVD GaN LED MQW |
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