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| 含无机硅薄膜的等离子体沉积 | |
| 作者姓名： | AlanR·Reinberg 杨清宗 |
| 作者单位： | 得克萨斯仪器公司 |
| 摘 要： | 含硅双氮、氧、碳、氢的非晶态膜构成了一大批对制作微电子电路极为有用的材料.与其他较常用的化学和物理沉积法相比,辉光放电感应沉积是一种更好的方法.硅烷(SiH_4)在辉光放电中与不同比率的氮化剂或氧化剂作用生成具有多种成份和性能都不同的薄膜.当放电功率较低时,薄膜密度基本上只与表面温度有共.在低温和低功率密度下生成的氮化物薄膜含有大量的硅-氢和氮-氢键,其中有些可通过高温退火来消除.薄膜的许多性能都可以测定,其中有些性能与退火的关系为确定材料的质量因数提供了简单的模型. |
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