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| 原位合成SiC颗粒增强MoSi_2基复合材料的900℃长期氧化行为 | |
| 作者单位： | ;1.内蒙古科技大学材料与冶金学院;2.北京科技大学新金属材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi_2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象. 6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi_2粉末和Si C粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO_2(α-石英),下层为Mo_5Si_3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi_2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi_2的表面自发形成一层致密的SiO_2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力. |
| 关 键 词： | 复合材料 MoSi2 SiC颗粒增强体 原位合成 低温氧化行为 pest现象 |