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旋转圆盘法(RD法)LATGS/P单晶的生长研究
引用本文:廖应良,陈举新.旋转圆盘法(RD法)LATGS/P单晶的生长研究[J].硅酸盐学报,1989(2).
作者姓名:廖应良  陈举新
作者单位:中国科学院上海技术物理所 (廖应良),中国科学院上海技术物理所(陈举新)
基金项目:1987年中国科学院上海分院青年基金
摘    要:采用RD法生长工艺,以H_3PO_4部分取代H_2SO_4,并掺入适量的L-丙氨酸进行TGS晶体的改性研究。掌握了晶体的生长习性,找到了较好的生长条件,获得面积>100×50mm~2的优质单晶。该晶体介电常数ε为25—28;损耗tanδ为3×10~(-4)—1.0×10~(-3);热释电系数p达4.1×10~(-3)C/cm~2·K;内偏场E_b为3—5kV/cm。晶体质量均匀,利用率高。已用于制作热释电红外探测器和热释电红外摄像管。

关 键 词:旋转圆盘法  LATG8/P单晶  热释电  介电

THE STUDY OF GROWTH OF LATGS/P SINGLE CRYSTAL BY MEANS OF ROTATING DISK METHOD
Liao Yingliang Chen Juxin.THE STUDY OF GROWTH OF LATGS/P SINGLE CRYSTAL BY MEANS OF ROTATING DISK METHOD[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,1989(2).
Authors:Liao Yingliang Chen Juxin
Abstract:
Keywords:rotating disk method of crystals growth  LATOS/P single crystal  pyroelectric  dielectric
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