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速调管电子回流现象研究及收集极设计
引用本文:朱旭智,戴巍,刘大刚.速调管电子回流现象研究及收集极设计[J].现代电子技术,2015(4):114-117.
作者姓名:朱旭智  戴巍  刘大刚
作者单位:电子科技技术大学 物理电子学院,四川 成都,610054
摘    要:为了分析解决7腔23注相对论速调管模拟过程中出现的收集极电子回流现象,解析该现象产生的物理原因,这里利用CHIPIC软件从收集极结构、输出腔距离收集极长度、聚集磁场强度三个方面研究其参数与电子回流量的关系。通过多次模拟实验得到以下结论:收集极入口处及其内表面紧贴电子运动轨迹时,回流减小;输出腔距离收集极长度L>12 mm时,回流随L减小而减小,L=12 mm时,回流量达到最小值,L<12 mm后,回流又逐渐增加;从输出腔下游开始沿z向逐步降低聚集磁场强度,回流现象减弱。最后根据以上分析选择适合的参数,对整管进行模拟,电子注电压为28 k V,总电流43 A,输入信号功率61 W,频率5.6 GHz,获得功率为346.5 k W,平均效率约28.8%,增益37.54 d B的稳定输出信号,且无反射电子回流。证明在保证输出信号增益与效率的前提下,该方法成功抑制了速调管收集极回流现象。

关 键 词:速调管  电子回流  收集极  回流抑制

Study on electron returning phenomenon of klystron and design of collector
ZHU Xu-zhi,DAI Wei,LIU Da-gang.Study on electron returning phenomenon of klystron and design of collector[J].Modern Electronic Technique,2015(4):114-117.
Authors:ZHU Xu-zhi  DAI Wei  LIU Da-gang
Affiliation:ZHU Xu-zhi;DAI Wei;LIU Da-gang;School of Physical Electronics,University of Electronic Science and Technology of China;
Abstract:
Keywords:klystron  electron returning  collector  returning restrain
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