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| 氩气氛中高纯GaAs的外延生长 | |
| 引用本文： | 林耀望,张彦云,李秀兰,林兰英.氩气氛中高纯GaAs的外延生长[J].半导体学报,1984,5(5):547-549. |
| 作者姓名： | 林耀望 张彦云 李秀兰 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (林耀望，张彦云，李秀兰)，中国科学院半导体研究所(林兰英) |
| 摘 要： | 采用AsC_T_3-Ga-Ar系统外延生长 GaAs,获得了77K电子迁移率为 2.05 × 10~3cm~2/V·s和峰值迁移率高达 3.78 ×10~5cm~2/V·s(在 35K)的结果.为了比较,用同一批源材料分别在Ar气和N_2气系统中外延生长GaAs,井作了霍尔测量.结果表明,Ar气系统较有利于制备高纯GaAs,尤其是生长厚度较薄的外延层.光致发光研究结果揭示了Ar气系统中生长未掺杂外延层的主要残留受主杂质是碳. |
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