| 退火处理对室温制备Bi0.5Sb1.5Te3薄膜热电性质的影响 |
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| 引用本文： | 娄本浊.退火处理对室温制备Bi0.5Sb1.5Te3薄膜热电性质的影响[J].热加工工艺,2012,41(14):180-182. |
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| 作者姓名： | 娄本浊 |
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| 作者单位： | 陕西理工学院,陕西汉中,723003 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，陕西省自然科学基础研究计划基金资助项目，陕西省教育厅专项科研计划项目 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅镀法在SiO2/Si基板上制备了Bi0.5Sb1.5Te3薄膜样品,并且测量了薄膜样品在不同退火时间与退火温度下的热电性质。结果表明,薄膜样品经30 h退火后的热电性质与1 h退火后的热电性质相差不大,这说明长时间退火并不是Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的最佳退火时间。而在不同退火温度下,样品的塞贝克系数在275～300℃退火下降比较快,当退火温度为300℃时降至最小,约为181μV/K;而其电阻率则随退火温度的升高呈现出先减小后增大的趋势,退火温度为225℃时具有最小的电阻率,约为6.1 mΩ.cm。最后本文得出经225℃退火10 min后可得到最佳的热电性质,即薄膜样品的塞贝克系数为208μV/K,电阻率为6.1mΩ.cm,功率因子则为6.9×10-4W/(m.K2)。
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| 关 键 词： | Bi0.5Sb1.5Te3薄膜 退火处理 热电性质 |
Effect of Annealing on Thermo-electric Property of Bi0.5Sb1.5Te3 Thin Film Prepared at Room-temperature |
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| LOU Benzhuo.Effect of Annealing on Thermo-electric Property of Bi0.5Sb1.5Te3 Thin Film Prepared at Room-temperature[J].Hot Working Technology,2012,41(14):180-182. |
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| Authors: | LOU Benzhuo |
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| Affiliation: | LOU Benzhuo(Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723003,China) |
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