| 陶瓷粉末靶与陶瓷块状靶溅射制备PZT薄膜的性能比较 |
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| 引用本文： | 叶勤,Tawee Tunkasiri.陶瓷粉末靶与陶瓷块状靶溅射制备PZT薄膜的性能比较[J].真空科学与技术学报,2001,21(6):481-484. |
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| 作者姓名： | 叶勤 Tawee Tunkasiri |
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| 作者单位： | 1. 暨南大学物理系,广州,510632
2. 清迈大学物理系,清迈,泰国 |
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| 摘 要： | 介绍了RF溅射冷压法制备的PZT陶瓷粉末靶和块状靶制取PZT薄膜的过程.二种方法避开了热压法制作PZT陶瓷块状靶的复杂工艺及昂贵设备,均能获得化学成分稳定的钙钛矿结构PZT铁电薄膜;用粉末靶制取的薄膜的热处理温度比块状靶低200℃;用块状靶制取的薄膜具有清晰的晶粒,较好的化学配比、电性能及高的密度;用粉末靶未见有明显的晶粒,存在玻璃质,其化学配比与源材料相比有较大差异,电性能也略为逊色.
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| 关 键 词： | 钛锆酸铅 射频溅射 粉末靶 陶瓷靶 |
| 文章编号： | 0253-9748(2001)06-0481-04 |
| 修稿时间： | 2000年3月14日 |
Properties of PZT Films Grown by RF Sputtering Ceramic Powders and Powder Compact Targets |
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| Ye QinTawee Tunkasiri.Properties of PZT Films Grown by RF Sputtering Ceramic Powders and Powder Compact Targets[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2001,21(6):481-484. |
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| Authors: | Ye QinTawee Tunkasiri |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT RF sputtering Powder target Ceramic target |
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