| 低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计 |
| |
| 引用本文： | 宋睿丰, 廖怀林, 黄如, 王阳元,. 低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计[J]. 电子器件, 2007, 30(2): 465-468 |
| |
| 作者姓名： | 宋睿丰 廖怀林 黄如 王阳元 |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子系,北京,100871;北京大学微电子系,北京,100871;北京大学微电子系,北京,100871;北京大学微电子系,北京,100871 |
| |
| 摘 要： | 以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB.
|
| 关 键 词： | 射频集成电路 中和化技术 低功耗 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)02-0465-04 |
| 修稿时间： | 2006-04-11 |
Design of a Low Voltage Neutralized CMOS Differential Low Noise Amplifier |
| |
| SONG Rui-feng,LIAO Huai-lin,HUANG Ru,WANG Yang-yuan. Design of a Low Voltage Neutralized CMOS Differential Low Noise Amplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(2): 465-468 |
| |
| Authors: | SONG Rui-feng LIAO Huai-lin HUANG Ru WANG Yang-yuan |
| |
| Affiliation: | Institute of Microelectronic,Peking University,Beijing 100871,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RF integrate circuits(RFIC) neutralization technique low power low noise amplifier(LNA) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载免费的PDF全文 |
|
