超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究 |
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引用本文: | 贾晓萍,宁平凡,杨邻峰,李雄杰,牛萍娟.超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究[J].电子器件,2022,45(4):855-859. |
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作者姓名: | 贾晓萍 宁平凡 杨邻峰 李雄杰 牛萍娟 |
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作者单位: | 天津工业大学电气与电子工程学院;大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心 |
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基金项目: | 天津市教委科研计划重点项目(2018ZD15) |
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摘 要: | 氧化镓(Ga2O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga2O3的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO2作为α-Ga2O3垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga2O3 SBD具有非常重要的参考意义。
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关 键 词: | α-Ga2O3 垂直型肖特基二极管(SBD) 场板 击穿电压 |
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