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| 大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨 | |
| 引用本文： | 曾世铭,王喜民.大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨[J].稀有金属,1980(1). |
| 作者姓名： | 曾世铭 王喜民 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究总院，洛阳半导体材料厂 |
| 摘 要： | 一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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