|
|||||
|
|
| 砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究 | |
| 引用本文： | 张家明,郭世平.砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):23-28. |
| 作者姓名： | 张家明 郭世平 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家实验室 |
| 摘 要： | 应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为。发现随着退炎温度升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据Ｔｅ位作为Ｔｅ位受主，样品表现为更小的补系数和更高的空穴浓度。 |
| 关 键 词： | 光谱 离子注入 热退火 散射谱 荧光谱 碲化镉 砷 |
RESONANT RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF THE ANNEALING EFFECTS OF THE As ION IMPLANTED CdTe FILMS |
|
| Zhang Jiaming,Guo Shiping,Yuan Shixin,Shen Xuechu.RESONANT RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF THE ANNEALING EFFECTS OF THE As ION IMPLANTED CdTe FILMS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1996,15(1):23-28. | |
| Authors: | Zhang Jiaming Guo Shiping Yuan Shixin Shen Xuechu |
| Abstract: | |
| Keywords: | spectroscopy ion implantation thermal annealing lattice recovery acceptor at Te site |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 | |