| 室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质 |
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| 引用本文： | 张富强,陈诺夫,杨瑞霞,魏怀鹏,刘祥林,刘志凯,杨少延,柴春林. 室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质[J]. 半导体学报, 2005, 26(12): 2390-2395 |
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| 作者姓名： | 张富强 陈诺夫 杨瑞霞 魏怀鹏 刘祥林 刘志凯 杨少延 柴春林 |
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| 作者单位： | 中国航天时代电子公司研究院微电子部，北京 100076；中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;河北工业大学，天津 300130;河北工业大学，天津 300130;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 通信作者.Tel：＋86-10-82304566,Email;nfchen@red.semi.ac.cn. |
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| 摘 要： | 以Al2O3为衬底利用多能态离子注入法在离子注入设备上制备了一系列具有室温铁磁性的Al2O3:Mn样品.在Al2O3的X射线衍射峰附近发现新的衍射峰,该衍射峰既可能对应一种未知新相,也可能对应Al2O3:Mn固溶体.所有样品都具有磁滞现象和室温铁磁性.
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| 关 键 词： | 铁磁性 X射线衍射 离子注入法 室温铁磁性 性质 Structural Properties 磁滞现象 固溶体 知新 对应 发现 衍射峰 射线 样品 注入设备 离子注入法 能态 利用 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）12-2390-06 |
| 收稿时间： | 2005-05-25 |
| 修稿时间： | 2005-05-25 |
Magnetic and Structural Properties of Room-Temperature Ferromagnetic Al2O3 : Mn |
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| Zhang Fuqiang,Chen Nuofu,Yang Ruixi,Wei Huaipeng,Liu Xianglin,Liu Zhikai,Yang Shaoyan and Chai Chunlin. Magnetic and Structural Properties of Room-Temperature Ferromagnetic Al2O3 : Mn[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(12): 2390-2395 |
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| Authors: | Zhang Fuqiang Chen Nuofu Yang Ruixi Wei Huaipeng Liu Xianglin Liu Zhikai Yang Shaoyan Chai Chunlin |
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| Affiliation: | Microelectronics Division,Academy of China Aerospace Times Electronics Corporation,Beijing 100076,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ferromagnetism X-ray diffraction ion implantation method |
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