| 快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池 |
| |
| 引用本文： | 王文静,许颖,罗欣莲,于民,于元,赵玉文. 快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池[J]. 太阳能学报, 1999, 20(4): 404-407 |
| |
| 作者姓名： | 王文静 许颖 罗欣莲 于民 于元 赵玉文 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京市太阳能研究所,北京100083
2. 北京师范大学低能物理所,北京100875 |
| |
| 摘 要： | 对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向ｐ＋ ＋ 型重掺硅片，电阻率为５×１０－ ３Ωｃｍ 。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼，膜厚３８μｍ ，扩磷制备ｐ－ｎ 结，背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 制背电极，正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２ ，前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 电极，制成的１ｃｍ ２ 太阳电池，开路电压ＶＯＣ＝ ６１２．８ｍ Ｖ，短路电流ＩＳＣ＝ ２９．３ｍ Ａ，填充因子ＦＦ＝ ０．７５７９，效率η＝ １３．６１。对一些影响电池特性的因素进行了研究，发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。
|
| 关 键 词： | 硅薄膜太阳电池 单晶硅 汽相沉积法 太阳电池 |
SILICON THIN FILM SOLAR CELL FABRICATED BY RTCVD |
| |
| Wang Wenjing,Xu Ying,Luo Xinlian,Yu Min,Yu Yuan,Zhao Yuwen. SILICON THIN FILM SOLAR CELL FABRICATED BY RTCVD[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 1999, 20(4): 404-407 |
| |
| Authors: | Wang Wenjing Xu Ying Luo Xinlian Yu Min Yu Yuan Zhao Yuwen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | solar cell crystalline silicon thin film |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
