| 基于Si_3N_4薄膜的压力传感器 |
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| 引用本文： | 王奇,赵湛,耿照新,方震,曾欢欢,张博军.基于Si_3N_4薄膜的压力传感器[J].传感器与微系统,2006,25(3):71-73. |
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| 作者姓名： | 王奇 赵湛 耿照新 方震 曾欢欢 张博军 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 采用微机电系统(MEMS)技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。基于S i3N4压力敏感膜,利用MEMS技术,设计了一种用于测量气压的传感器。采用应变电阻原理对压力进行测量,进行了理论分析计算,设计了工艺过程,制作出了器件样片。这种压力传感器的显著优点是结构简单、工艺过程容易。并且,在50~100 kPa的压力条件下,对传感器进行了测试,其精度达到了0.5%。
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| 关 键 词： | 微机电系统 压力传感器 氮化硅 |
| 文章编号： | 1000-9787（2006）03-0071-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-21 |
| 修稿时间： | 2005年10月21日 |
Pressure sensor based on Si3N4 membrane |
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| WANG Qi,ZHAO Zhan,GENG Zhao-xin,FANG Zhen,ZENG Huan-huan,ZHANG Bo-jun.Pressure sensor based on Si3N4 membrane[J].Transducer and Microsystem Technology,2006,25(3):71-73. |
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| Authors: | WANG Qi ZHAO Zhan GENG Zhao-xin FANG Zhen ZENG Huan-huan ZHANG Bo-jun |
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| Affiliation: | 1. State key laboratory of transducer technology,Institute of electronics Chinese Academy of Sciences, Belling 100080, China; 2. Graduate School, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
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| Abstract: | Sensors based on microelectromechanial system(MEMS) technology have the advantages of small size,less weight and low cost.A pressure sensor based on Si_3N_4 pressure sensitive membrane with MEMS technology is designed.Strain gauge is used to measure the pressure.The characteristics of the sensor are calculated and simulated,process is designed,and a sample sensor is made out.The remarkable advantages of the sensors are simple structure and easy process.The sensor is tested under the condition of 50～100 kPa,and its precision is 0.5 %. |
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| Keywords: | microelectromechanial system(MEMS) pressure sensor Si_3N_4 |
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