超声耦合隔膜电积锡电化学机理

采用超声耦合隔膜电积技术从氯盐体系(Sn(Ⅱ)-Cl~--H_2O)中电积锡,通过循环伏安法、线性扫描伏安法、计时电流法及计时电位法,对比研究有无超声耦合条件下锡隔膜电积的电化学机理。循环伏安曲线及线性扫描曲线分析表明,超声耦合可使锡隔膜电沉积的控制步骤由无超声耦合时的扩散控制转变为有超声耦合时的电化学控制;超声耦合条件下提高温度、酸度及超声功率有利于锡的电积;计时电流测试表明,超声耦合锡隔膜电积初始过程遵循扩散控制的三维成核和晶粒长大机制,超声波在此过程起到细化晶粒及加快反应进程的作用。超声耦合后,锡的沉积由高择优取向(易产生锡"晶须")逐渐趋于无择优取向,阴极锡倾向于生成规则的网状结构,锡"晶须"得到遏制。同等条件下超声耦合更有利于获得结构更致密、形貌更平整的阴极锡。