| 两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性 |
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| 引用本文： | 张国强,赵元富.两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性[J].固体电子学研究与进展,1993,13(2):165-169. |
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| 作者姓名： | 张国强 赵元富 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所 乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600 |
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| 摘 要： | 报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生阈电压漂移,控制氧化物电荷和界面态生长的能力。用多晶硅面注F带入栅介质较少注入缺陷和较多替代辐射敏感应力键的F离子模型对实验结果进行了讨论。
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| 关 键 词： | 阈电压 氧化物电荷 界面态 I—V曲线 电离辐射 |
Ionizing Radiation Responses of PMOSFET for Two Fluorine Implantation Surfaces |
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| Zhang Guoqiang. Yu Xiefen,Gao Jianxia,Ren Diyuan,Yan Rongliang.Ionizing Radiation Responses of PMOSFET for Two Fluorine Implantation Surfaces[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1993,13(2):165-169. |
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| Authors: | Zhang Guoqiang Yu Xiefen Gao Jianxia Ren Diyuan Yan Rongliang |
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| Abstract: | Ionizing radiation responses of Si gate P-channel MOSFETs for 43 keV fluorine implantation before and after polysilicon deposition have been investi-gated. For suppressing the radiation-induced threshold shifts, controlling oxide charges and interface states, fluorine introduction after polysilicon doposition is a better implantation technology. Fluorine implantation on polysilicon surface into gate dielectrics,which carry less implantation defects and more fluorine ions to re-place the strain bonds sensitive to radiation should be responsible for the experi-mental results. |
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| Keywords: | Interface States Oxide Charges MOSFET Threshold-Voltage I-V Curves lonizing Radiation |
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