| ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 |
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| 引用本文： | 王成伟,闫桂珍,朱泳. ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(7): 104-107 |
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| 作者姓名： | 王成伟 闫桂珍 朱泳 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究院,北京,100871 |
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| 摘 要： | 在高密度反应离子刻蚀技术中，存在明显的线宽损失，对小尺寸MEMS结构影响很大，将使MEMS器件灵敏度下降，稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术，在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4F8，同时适当减小循环周期的刻蚀时间，使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的155nm减少到55nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中，取得了很好的结果。
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| 关 键 词： | ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0104-04 |
| 修稿时间： | 2003-05-15 |
Research of critical dimension loss control in the ICP etch of deep Silicon trenches |
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