| 基于0.13μm CMOS技术的超宽带低噪放大器设计 |
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| 引用本文： | 苏丽梅,郝群,马建荣.基于0.13μm CMOS技术的超宽带低噪放大器设计[J].中北大学学报,2013(2):199-203. |
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| 作者姓名： | 苏丽梅 郝群 马建荣 |
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| 作者单位： | 北京理工大学光电学院;中北大学信息与通信工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61204040);北京市自然科学基金资助项目(4123092) |
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| 摘 要： | 针对信号频段为3.1～10.6GHz的超宽带系统射频前端,提出一种基于0.13μm CMOS技术的低噪声放大器设计与实现.该放大器采用两级结构,通过第一级单端型电阻反馈和第二级单端转差分型电压缓冲器的级联设计,在获得足够的信号功率增益的同时,能够实现超宽带范围内的输入匹配.整体电路仿真结果表明:在3.1～10.6GHz的工作频段,电压增益为23.2dB,输入回波损耗小于-13dB.在6GHz时噪声系数最小值为2.4dB,最大值为2.7dB,输入三阶交调截取点(IIP3)为-11.9dBm.在1.2V电源电压下,该低噪声放大器功耗为12.2mW,芯片面积为0.32mm2.
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| 关 键 词： | CMOS 反馈 低噪声放大器 超宽带 |
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