| Zn基柱状ZnO取向生长机制 |
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| 作者姓名： | 刘长友 王金芳 孙晓燕 王泽温 介万奇 |
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| 作者单位： | (1. 西北工业大学 材料学院 凝固技术国家重点实验室, 西安 710072; 2. 西安理工大学 材料学院, 西安 710032) |
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| 基金项目： | 凝固技术国家重点实验室自主课题(74-QP-2011);西北工业大学基础研究基金(JC20110247);陕西省教育厅科学研究项目(2010JK760)~~ |
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| 摘 要： | 通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜, 并由N2H4·H2O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现, 在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列, 据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下, ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性, 柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致, 决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明, 在30~60 K之间, 近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的“负热淬灭”现象, 该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。
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| 关 键 词： | 氧化锌 锌基底 取向生长机理 光致发光 |
| 收稿时间： | 2012-04-11 |
| 修稿时间： | 2012-05-29 |
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