CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究 |
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引用本文: | 韩峰,亢宝位,吴郁,田波.CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究[J].电力电子,2006,4(1):47-50. |
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作者姓名: | 韩峰 亢宝位 吴郁 田波 |
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摘 要: | 本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率 下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%,将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。
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关 键 词: | 沟槽棚e-JFET 沟槽棚MOSFET 功耗 |
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