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| 液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪 | |
| 引用本文： | 郑万辉,张金洲,朱家璧,田家祺,顾加辉,周桂芬.液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪[J].核电子学与探测技术,1983(3). |
| 作者姓名： | 郑万辉 张金洲 朱家璧 田家祺 顾加辉 周桂芬 |
| 作者单位： | 上海原子核研究所 (郑万辉，张金洲，朱家璧，田家祺，顾加辉)，上海原子核研究所(周桂芬) |
| 摘 要： | 用半导体探测器包括面垒型Si(Au)及漂移型Si(Li)]测量电子谱的好处是:分辨率比闪烁计数器要好几十倍,与一般纵向磁谱仪相当,但效率比磁谱仪高得多;结构简单、价格便宜;尤其是它能够作多道式的同时性全谱测量,在低活性和短寿命核素的电子能谱测量中,具有很大的优越性。F.U.M.Bernthal等人以曾测量T_(1/2)=8.1小时 |
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