| 磁控溅射法镀制氮化铝薄膜特性研究 |
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| 引用本文： | 斯维德科夫斯基,朱昌,格洛索夫,扎瓦兹基.磁控溅射法镀制氮化铝薄膜特性研究[J].西安工业大学学报,2006,26(3):237-241. |
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| 作者姓名： | 斯维德科夫斯基 朱昌 格洛索夫 扎瓦兹基 |
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| 作者单位： | 白俄罗斯国立无线电信息大学薄膜实验室，西安工业大学，白俄罗斯国立无线电信息大学薄膜实验室，白俄罗斯国立无线电信息大学薄膜实验室 明斯克220013，明斯克220013，明斯克220013 |
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| 摘 要： | 氮化铝薄膜具有高折射率,良好的化学稳定性,耐磨摩、高电阻等特性在微电子器件和光学薄膜中有着广泛地应用.本文研究了反应式磁控溅射方法利用Ar/N2混合气体镀制氮化铝薄膜的工艺过程,实验表明在高真空和高泵浦速率条件下,放电电压直接依赖于反应气体珠浓度.薄膜的折射率,消光系数和薄膜硬度都依赖于氮气浓度的比例.通过工艺研究,找到了氮气在不同浓度下对氮化铝薄膜的折射率,消光系数以及薄膜硬度的影响,找出了镀制氮化镀制氮化铝薄膜的最佳工艺参数.在Ar/N2工作气体中氮气含量保持在40%条件下,用反应式磁控溅射方法,可以精确镀制出良好的氮化铝薄膜,其中折射率范围在2.25~2.4之间,消光系数为10-3,薄膜显微硬度大于20GPa.该薄膜可以广泛应用于微电子器件和光电器件上.
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| 关 键 词： | 反应式磁控溅射 镀膜 氮气浓度 硬度 |
| 文章编号： | 1000-5714（2006）03-237-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-27 |
| 修稿时间： | 2005年12月27 |
Optical and Mechanical Properties of AlN Thin Films Depositid by Reactive Magnetron Sputtering |
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| Authors: | Igor V Svadkovski ZHU Chang Dmitriy A Golosov Sergey M Zavatskiy |
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| Abstract: | The reactive magnetron sputtering of Al in Ar/N2mixture working gases has beeninvestiga-ted.It is concluded that,at low-pressure operation of magnetron sputtering system and high pumpingrate the potential of discharge depends directly on the reactive gas concentration.The refractive index,extinction coefficients and hardness of the deposited fil ms depend on the N2concentration.It is possibleto repeatedly deposit aluminumnitride thin fil ms so as to make their refractive indexes remain between2.25 and 2.4,extinction coefficient 10-3and hardness over 20 GPa by reactive magnetron sputteringmethod.The necessary nitrogen concentrationin Ar/N2working gas mixture must be above 40 %.Thesefil ms can be used as optical coatings and protective coatings. |
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| Keywords: | reactive magnetromsputtering deposited fil ms nitrogen concentration hardness |
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