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| c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究 | |
| 引用本文： | 刘钧锴,邓金祥,陈浩,田凌,陈光华.c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(Z1):57-60. |
| 作者姓名： | 刘钧锴 邓金祥 陈浩 田凌 陈光华 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学材料学院,北京,100022 2. 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 3. 兰州大学物理学院,兰州,730000 |
| 摘 要： | 用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜.通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因.在两步法之前增加了使湍流层结构氮化硼(t-BN)转化为斜方六面体结构的氮化硼(r-BN)的步骤,即将形核过程分也为两步,使重复率显著提高.傅立叶变换红外吸收光谱的结果表明当第一步偏压为180 V,时间为5 min时,得到了立方相含量为85%的c-BN薄膜. |
| 关 键 词： | 立方氮化硼 可重复性 生长过程 射频溅射 |
| 文章编号： | 1672-7126(2006)增-0057-04 |
| 修稿时间： | 2005年9月1日 |
Growth of c-BN Films and Growth Reproducibility |
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| Liu Junkai,Deng Jinxiang,Chen Hao,Tian Ling,Chen Guanghua.Growth of c-BN Films and Growth Reproducibility[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(Z1):57-60. | |
| Authors: | Liu Junkai Deng Jinxiang Chen Hao Tian Ling Chen Guanghua |
| Abstract: | |
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