| 工业铜单晶线材浸蚀蚀坑的研究 |
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| 引用本文： | 严文,王雪艳,陈建,李巍,范新会.工业铜单晶线材浸蚀蚀坑的研究[J].西安工业大学学报,2007,27(1):46-51. |
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| 作者姓名： | 严文 王雪艳 陈建 李巍 范新会 |
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| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院 西安710032 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;陕西省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂,浸蚀时间,材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验.结果表明,在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20 g(FeCl3)∶5 ml(HCl)∶100 ml(H2O)时会有蚀坑产生;蚀坑密度(EPD)随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大,当达到一定程度时会趋于饱和;铜单晶线材中(111)面EDP值高于(100)面;经过扫描电镜观察,判定该蚀坑为位错蚀坑.铜单晶线材中位错蚀坑密度与材料浸蚀时间,变形量以及晶体学取向有关.
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| 关 键 词： | 铜单晶 位错蚀坑 晶体取向 塑性变形 |
| 文章编号： | 1000-5714（2006）07-046-06 |
| 收稿时间： | 2006-11-15 |
| 修稿时间： | 2006-11-15 |
Study on the Etch Pits of Copper Single Crystal Wires |
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| Authors: | YAN Wen WANG Xue-yan CHEN Jian LI Wei FAN Xin-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper single crystals dislocation etch pits crystal orientation plastic deformation |
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