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静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟
引用本文:薛伟东,李思渊,刘英坤.静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟[J].半导体技术,2002,27(9):68-71.
作者姓名:薛伟东  李思渊  刘英坤
作者单位:1. 兰州大学物理系静电感应器件研究所,甘肃,兰州,730000;2. 兰州大学物理系静电感应器件研究所,甘肃,兰州,730000;信息产业部电子第十三研究所,河北,石家庄,050051
摘    要:引入了一种SITH仿真模型.结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管(SITH)进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟.

关 键 词:静电感应晶闸管  负阻转折  仿真模拟
文章编号:1003-353X(2002)09-0068-04
修稿时间:2001年10月5日

Emulation analysis on SITH' s static characteristics
XUE Wei-dong,LI Si-yuan,LIU Ying-kun.Emulation analysis on SITH' s static characteristics[J].Semiconductor Technology,2002,27(9):68-71.
Authors:XUE Wei-dong  LI Si-yuan  LIU Ying-kun
Abstract:A kind of SITH emulation model is introduced. Combing the experimental data, the emulation results of forward through, triode-like forward blocking and negative-resistance transition characteristics were presented using the PSPICE on the equivalent circuit model.
Keywords:SITH  negative-resistance transition  simulation
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