| 高密度等离子刻蚀机中的等离子体诊断技术 |
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| 引用本文： | 王巍,叶甜春,李兵,陈大鹏,刘明. 高密度等离子刻蚀机中的等离子体诊断技术[J]. 半导体技术, 2005, 30(3): 13-17 |
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| 作者姓名： | 王巍 叶甜春 李兵 陈大鹏 刘明 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所纳米制造与新器件集成技术实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所纳米制造与新器件集成技术实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所纳米制造与新器件集成技术实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所纳米制造与新器件集成技术实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所纳米制造与新器件集成技术实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 等离子体诊断技术对于高密度等离子刻蚀过程的监控显得非常重要.讨论了几种主要的等离子体诊断技术:langmuir探针,发射光谱法(OES),激光诱导荧光法(LIF),光谱椭偏法,质谱法,并就其技术特点及在实际运用时面临的问题进行了详细的讨论.
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| 关 键 词： | 等离子体诊断技术 朗格谬尔探针 发射光谱法 激光诱导荧光法 光谱椭偏法 质谱法 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)03-0013-05 |
| 修稿时间： | 2004-10-12 |
Diagnostics Techniques for High Density Plasma Tools |
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| WANG Wei,YE Tian-chun,LI Bing,CHEN Da-peng,LIU Ming. Diagnostics Techniques for High Density Plasma Tools[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(3): 13-17 |
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| Authors: | WANG Wei YE Tian-chun LI Bing CHEN Da-peng LIU Ming |
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| Abstract: | Plasma diagnostics techniques is important for controlling of high density plasma etching process. In this article, several primary plasma diagnostics techniques used in plasma etch- ing are discussed, including Langmuir probes, optical emission spectroscopy (OES), laser induced fluorescence (LIF), spectroscopic ellipsometry and mass spectroscopy. The advantage and limits of these diagnostics techniques for semiconductor application are discussed in detail. |
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| Keywords: | plasma diagnostics langmuir probe optical emission spectroscopy laser induced fluorescence spectroscopic ellipsometry mass spectroscopy |
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