| 有机分子修饰的SiNSs电子性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 吴一新,杜罡,梁培,刘阳,董前民.有机分子修饰的SiNSs电子性质的第一性原理研究[J].微纳电子技术,2014(8). |
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| 作者姓名： | 吴一新 杜罡 梁培 刘阳 董前民 |
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| 作者单位： | 横店集得邦照明有限公司;中国计量学院光学与电子科技学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61006051,61177050);浙江省自然科学基金资助项目(Y1110777) |
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| 摘 要： | 类石墨烯型硅纳米单层(SiNS)材料具有和石墨烯类似的电子性质,由于其较强的表面活性和多表面悬挂键,表面钝化对于其电子结构有着重要的影响。采用第一性原理的方法结合PBE近似,优化了有机分子基团(C6H13—)钝化的SiNSs的几何结构,并计算了其电子结构。结果表明相比H—钝化的SiNSs结构,有机分子基团钝化的SiNSs带隙变窄,其原因是有机分子基团的吸附打破了原有H—钝化的结构的平衡,使得导带中的电子下移。不同覆盖度研究表明,随着大有机分子基团(C6H13—)的增加其带隙呈现出递减趋势。
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| 关 键 词： | 硅纳米单层(SiNS) 表面钝化 覆盖度 电子结构 有机分子 |
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