| 退火处理对ZnO纳米棒阵列的性能影响(英文) |
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| 作者姓名： | 任鑫 刘美玉 袁帅 曹娇 施利毅 |
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| 作者单位： | 上海大学纳米科学与技术研究中心; |
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| 基金项目： | Chinese National Natural Science Foundation(51202138,51202140);Natural Science Foundation of Shanghai(12ZR1410500);Shanghai University Innovation Fund(2012-120417) |
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| 摘 要： | 通过电沉积在ITO基底上制备了大规模ZnO纳米棒阵列。对ZnO纳米棒进行不同温度下的退火处理,然后通过旋转涂覆工艺将聚3-己基噻吩与[6,6]-苯基-C61丁酸甲酯(P3HT∶PCBM)的混合物沉积在纳米棒上组装成杂化太阳电池。应用扫描电子显微镜、X射线衍射、光致发光测试和光伏测试分析了退火处理对ZnO纳米棒及其组装的太阳电池性能的影响。发现退火处理除使ZnO纳米棒的光致可见光发射的强度有所改变外,还可以使发射峰中心从约580 nm的位置转移到约520 nm的位置,这说明退火处理不但可以改变ZnO纳米棒缺陷密度,还能改变缺陷类型。通过合适的退火处理,太阳电池的转换效率可提高17倍。
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| 关 键 词： | PHT∶PCBM ZnO纳米棒 杂化太阳电池 电沉积 退火处理 |
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