GaAs中掺氮制备（超高效）太阳电池

美国桑迪亚国家实验室的科学家们正在研制一种新的半导体合金——InGaAsN，用于空间通信卫星中的光伏功率源和纤维光学中的激光器。在GaAs中掺入l‰2％的氮，可明显改变合金的光学性质和电学性质——使材料的带隙几乎减小1／3。设计可调整这种新材料的性质，以利用不同带隙而产生最大电流。它的潜在的转换效率高达40％(制成现代多结太阳电池)，几乎是标准Si太阳电池的2倍。