| 兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究 |
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| 引用本文： | 张耀,张志浩,章国豪. 兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究[J]. 广东工业大学学报, 2022, 39(6): 68-72. DOI: 10.12052/gdutxb.210049 |
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| 作者姓名： | 张耀 张志浩 章国豪 |
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| 作者单位： | 1. 广东工业大学 信息工程学院, 广东 广州 510006;2. 河源广工大协同创新研究院, 广东 河源 517000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61974035)；广东省重点领域研发计划资助项目(2018B010115001)；广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队资助项目(2017BT01X168) |
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| 摘 要： | 基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构，对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示，工作频率范围覆盖24～30 GHz，可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段，噪声系数可达到2.4～2.5 d B的水平，小信号增益在21.1～24.1 d B之间，输出1 d B功率压缩点大于14.4 d Bm的水平。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 氮化镓(GaN) 毫米波 |
| 收稿时间： | 2021-03-26 |
A GaN Low Noise Amplifier for 5G Millimeter Wave Band n257 and n258 Applications |
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| Zhang Yao,Zhang Zhi-hao,Zhang Guo-hao. A GaN Low Noise Amplifier for 5G Millimeter Wave Band n257 and n258 Applications[J]. Journal of Guangdong University of Technology, 2022, 39(6): 68-72. DOI: 10.12052/gdutxb.210049 |
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| Authors: | Zhang Yao Zhang Zhi-hao Zhang Guo-hao |
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| Affiliation: | 1. School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006 China;2. Heyuan Synergy Innovation Institute of GDUT, Heyuan 517000 China |
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| Abstract: | A millimeter wave low noise amplifier (LNA) fabricated in 100nm gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) process is presented. With a three-stage cascade topology and an optimum concurrent design, this LNA, covering a frequency range from 24 to 30 GHz for 5G millimeter wave Band n257 and n258 applications, achieves low noise figure of 2.4~2.5 dB, small signal gain of 21.1~24.1 dB, and output 1 dB power compression point of greater than 14.4 dBm. |
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| Keywords: | low noise amplifier gallium nitride (GaN) millimeter wave |
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