铜粗化QFN引线框架的量产制备方法

介绍一种铜粗化QFN(方形扁平无引脚封装)引线框架(Lead Frame)的量产制备方法。由于越来越多的半导体集成电路(IC)芯片应用端客户要求集成电路芯片的可靠性达到MSL1(湿气敏感性等级一级)的要求,芯片封装厂对引线框架的要求也越来越高。为了满足集成电路芯片可靠性MSL1的要求,我司开发了一种新型QFN引线框架,通过在铜合金表面电镀一层粗化的铜层,达到引线框架表面粗化的效果,增强引线框架与封装环氧树脂(EMC)之间的结合力,从而提高集成电路芯片的可靠性,并实现量产化。