| 一种低功耗K频段低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 赵晓冬. 一种低功耗K频段低噪声放大器[J]. 电讯技术, 2021, 61(5): 634-639. DOI: 10.3969/j.issn.1001-893x.2021.05.017 |
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| 作者姓名： | 赵晓冬 |
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| 作者单位： | 中国西南电子技术研究所,成都 610036 |
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| 摘 要： | 基于0.13μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semi-conductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化...
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| 关 键 词： | 卫星通信 K频段低噪声放大器 低功耗 高品质因数硅通孔电感 |
A K-band low noise amplifier with low power consumption |
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| ZHAO Xiaodong. A K-band low noise amplifier with low power consumption[J]. Telecommunication Engineering, 2021, 61(5): 634-639. DOI: 10.3969/j.issn.1001-893x.2021.05.017 |
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| Authors: | ZHAO Xiaodong |
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| Affiliation: | Southwest China Institute of Electronic Technology,Chengdu 610036,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | satellite communication K-band low noise amplifier low power consumption high-Q through silicon via inductor |
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