| DC—PCVD法快速制备Si3N4薄膜 |
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| 引用本文： | 周海 吴大兴. DC—PCVD法快速制备Si3N4薄膜[J]. 硅酸盐学报, 1997, 25(4): 489-493 |
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| 作者姓名： | 周海 吴大兴 |
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| 作者单位： | 西南交通大学材料工程系 |
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| 摘 要： | 采用ＤＣ－ＰＣＶＤ方法，控制工艺参数，在ＧＣｒ１５钢试样上获得４０μｍ厚的，以Ｓｉ３Ｎ４为主要成分的非晶态绝缘薄膜，沉积速率约为３７Ａ／ｓ，讨论了沉积速率高的原因。
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| 关 键 词： | 直流等离子体 化学气相沉积 氮化硅薄膜 镀膜 |
RAPID PREPARATION OF Si 3N 4 THIN FILM BY DCPCVD METHOD |
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| Zhou Hai Wu Daxing Yang Chuan Gao Guqing. RAPID PREPARATION OF Si 3N 4 THIN FILM BY DCPCVD METHOD[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 1997, 25(4): 489-493 |
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| Authors: | Zhou Hai Wu Daxing Yang Chuan Gao Guqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | direct current plasma chemical vapour deposition silicon nitride thin films |
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