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在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析
引用本文:郭为,黄达诠. 在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析[J]. 电路与系统学报, 2002, 7(4): 9-12
作者姓名:郭为  黄达诠
作者单位:浙江大学,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027
摘    要:本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性,利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对Mosfet的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相符,最后,本文以一个工作于2.4GHZ,0.5μm工艺的低噪声放大器(LNA)设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法。

关 键 词:CMOS 射频集成电路 设计 稳定性 MOSFET 低噪声放大器
文章编号:1007-0249(2002)04-0009-04

The Stability Analysis in CMOS RFIC Design
GUO Wei,HUANG Da-quan. The Stability Analysis in CMOS RFIC Design[J]. Journal of Circuits and Systems, 2002, 7(4): 9-12
Authors:GUO Wei  HUANG Da-quan
Abstract:The stability analysis of MOSFET used in RFIC design is presented in detail. Through the whole analysis, two methods, Miller effect and y parameter, have been employed. Simulation result coincides with theoretical analysis quite well. As an example, a 2.4GHz 0.5um LNA design is given in the end of this paper. The proposed method can be used to improve the stability of whole circuit.
Keywords:stability  Miller effect  y parameter  MOSFET  LNA  
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