| AlGaN PIN紫外探测器的结构及性能分析 |
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| 引用本文： | 张春福, 郝跃, 周小伟, 李培咸, 邵波涛,.AlGaN PIN紫外探测器的结构及性能分析[J].电子器件,2005,28(2):421-427. |
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| 作者姓名： | 张春福 郝跃 周小伟 李培咸 邵波涛 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
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| 摘 要： | AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值。分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响，深入阐述了．AlGaNp-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题，并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了p-GaN／i-AlGaN／n-GaN结构，并对其结构进行了改进，得到了改进的SLS／AlGaN／GaN结构。
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| 关 键 词： | AlGaN p-i-n 光电探测器 可见光盲区 太阳盲区 |
| 文章编号： | 1005-9490(2005)02-0421-07 |
Analysis of Structure and Characteristics of AlGaN PIN Ultraviolet Photodetectors |
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| ZHANG Chun-fu,HAO Yue,ZHOU Xiao-wei,LI Pei-xian,SHAO Bo-tao.Analysis of Structure and Characteristics of AlGaN PIN Ultraviolet Photodetectors[J].Journal of Electron Devices,2005,28(2):421-427. |
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| Authors: | ZHANG Chun-fu HAO Yue ZHOU Xiao-wei LI Pei-xian SHAO Bo-tao |
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| Abstract: | AlGaN photodetecters have wide applications in the field of communication and image of both military technology and commerce market. The effect of the structure of AlGaN PIN ultraviolet photodetectors on their characterization and the difficulties in the fabrication are analyzed. From the analysis, the structure of GaN/AlGaN/GaN inverted heterostructure photodetectors is discussed and improved. An advanced structure-SLS/AlGaN/GaN structure is developed. |
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| Keywords: | AlGaN p-i-n |
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