| 一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT |
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| 引用本文： | 赵安邦,谭开洲,吴国增,李荣强,张静,钟怡,刘道广. 一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT[J]. 微电子学, 2006, 36(5): 576-579,583 |
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| 作者姓名： | 赵安邦 谭开洲 吴国增 李荣强 张静 钟怡 刘道广 |
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| 作者单位： | 1. 重庆邮电大学,重庆,400065;模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060
2. 模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
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| 关 键 词： | SiGe 异质结双极晶体管 平面集成 多晶硅发射极 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0576-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-20 |
| 修稿时间： | 2006-05-202006-07-30 |
A Planar Integration SiGe HBT with High Current Gain |
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| ZHAO An-bang,TAN Kai-zhou,WU Guo-zeng,LI Rong-qiang,ZHANG Jing,ZHONG Yi,LIU Dao-guang. A Planar Integration SiGe HBT with High Current Gain[J]. Microelectronics, 2006, 36(5): 576-579,583 |
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| Authors: | ZHAO An-bang TAN Kai-zhou WU Guo-zeng LI Rong-qiang ZHANG Jing ZHONG Yi LIU Dao-guang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT Planar integration Polysilicon emitter |
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