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| GaAs气相双层外延层中有源层与缓冲层过渡区宽度的研究 | |
| 引用本文： | 王永晨.GaAs气相双层外延层中有源层与缓冲层过渡区宽度的研究[J].半导体学报,1981,2(4):277-287. |
| 作者姓名： | 王永晨 |
| 作者单位： | 天津电子材料研究所 |
| 摘 要： | 本文采用漂移扩散与扩散模型,对双层VPE GaAs浓度分布进行了数学模拟,找出了有源层杂质初始分布和最终分布,从而找到了浓度过渡区宽度的解析解.与实验结果取得了好的一致. 文中还给出了实验测定的杂质 Sn在 VPE GaAs气-固相间的分配系数.给出了浓度分布的理论计算公式. |
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