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杂志ISSN号
选择高压场效应管实现节能
作者姓名:
Alexander Craig
作者单位:
飞兆半导体公司
摘 要:
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。
关 键 词:
金属氧化物半导体场效应晶体管
场效应管
MOSFET器件
高压
节能
切换电路
导通电阻
切换速度
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