| 掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质 |
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| 引用本文： | 夏艳,王军转,石卓琼,施毅,濮林,张荣,郑有炓,陶镇生,陆昉. 掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质[J]. 半导体学报, 2007, 28(9): 1388-1391 |
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| 作者姓名： | 夏艳 王军转 石卓琼 施毅 濮林 张荣 郑有炓 陶镇生 陆昉 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;复旦大学物理系，上海 200433 |
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| 摘 要： | 用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.
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| 关 键 词： | 氧化铪 铒 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1388-04 |
| 收稿时间： | 2007-03-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-03 |
Photoluminescence Properties of Er-Doped HfO2 Films |
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| Xia Yan,Wang Junzhuan,Shi Zhuoqiong,Shi Yi,Pu Lin,Zhang Rong,Zheng Youdou,Tao Zhensheng and Lu Fang. Photoluminescence Properties of Er-Doped HfO2 Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(9): 1388-1391 |
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| Authors: | Xia Yan Wang Junzhuan Shi Zhuoqiong Shi Yi Pu Lin Zhang Rong Zheng Youdou Tao Zhensheng Lu Fang |
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| Affiliation: | Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Material Science and Technology,Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Department of Physics,Fudan University,Shanghai 200433,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HfO2 Er photoluminescence |
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