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| Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究 | |
| 引用本文： | 吕志娟,钟传杰. Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究[J]. 微计算机信息, 2009, 25(19) |
| 作者姓名： | 吕志娟 钟传杰 |
| 作者单位： | 吕志娟(214122,无锡,江南大学;215500,常熟,常熟理工学院);钟传杰(江南大学,无锡,214122) |
| 摘 要： | 基于Tsuprem4和Medici模拟软件.研究了Halo LDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热栽流子效应的影响.结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,在80KeV退化最为严重. |
| 关 键 词： | 多晶硅TFT LDD结构 热载流子退化 |
Study on hot carriers effect of Halo LDD Polysilicon Thin Film Transistor |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Halo Medici Tsuprem4 |
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