| 单晶硅片的区域载荷法平坦化抛光 |
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| 引用本文： | 吕玉山,蔡光起,华雷. 单晶硅片的区域载荷法平坦化抛光[J]. 沈阳理工大学学报, 2003, 22(3): 1-4 |
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| 作者姓名： | 吕玉山 蔡光起 华雷 |
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| 作者单位： | 1. 沈阳工业学院,机械工程分院,辽宁,沈阳,110016
2. 东北大学 |
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| 摘 要： | 基于弹性力学的圆板接触理论，分析了在抛光过程中硅片与抛光垫之间的接触压强分布与被抛光硅片的平面度误差的关系，提出了使用区域加载的方法来均等硅片抛光表面的接触压强，并进行了抛光试验，获得了平面度误差小于0．33μm的单晶硅片。这个研究为单晶硅片的集成平坦化抛光提供了一种新的方式。
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| 关 键 词： | 单晶硅片 区域载荷法 平坦化抛光 弹性力学 接触压强 |
| 文章编号： | 1003-1251(2003)03-0001-04 |
| 修稿时间： | 2002-12-11 |
Chemical Mechanical Polishing for Silicon Wafer Planarization by Exerting Partial Region Load |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon wafer chemical mechanical polishing(CMP) chemical mechanical planarization pressure distribution |
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