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LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射
作者姓名:刘渝珍  石万全  韩一琴  刘世祥  赵玲莉  孙宝银  叶甜春  陈梦真
作者单位:中国科技大学研究生院!北京100039(刘渝珍,石万全,韩一琴,刘世祥),中国科学院微电子研究中心!北京100010(赵玲莉,孙宝银,叶甜春),中国科学院微电子研(陈梦真)
基金项目:中国科技大学校科研和教改项目;;
摘    要:在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制

关 键 词:激发   LPCVD   光致发光   能隙态模型
文章编号:0253-4177(2000)05-0517-04
修稿时间:1998-12-26
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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