| LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射 |
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| 引用本文： | 刘渝珍,石万全,韩一琴,刘世祥,赵玲莉,孙宝银,叶甜春,陈梦真. LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射[J]. 半导体学报, 2000, 21(5): 517-520 |
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| 作者姓名： | 刘渝珍 石万全 韩一琴 刘世祥 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 |
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| 作者单位： | 中国科技大学研究生院!北京100039(刘渝珍，石万全，韩一琴，刘世祥)，中国科学院微电子研究中心!北京100010(赵玲莉，孙宝银，叶甜春)，中国科学院微电子研 (陈梦真) |
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| 基金项目： | 中国科技大学校科研和教改项目;; |
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| 摘 要： | 在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制
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| 关 键 词： | 激发 LPCVD 光致发光 能隙态模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0517-04 |
| 修稿时间： | 1998-12-26 |
Luminescence from Silicon Nitride Film by LPCVD |
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| LIU Yu|zhen,SHI Wan|quan,HAN Yi|qin,LIU Shi|xiang,ZHAO Ling|li+,SUN Bao|yin+,YE Tian|chun+ and CHEN Meng|zhen. Luminescence from Silicon Nitride Film by LPCVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(5): 517-520 |
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| Authors: | LIU Yu|zhen SHI Wan|quan HAN Yi|qin LIU Shi|xiang ZHAO Ling|li+ SUN Bao|yin+ YE Tian|chun+ CHEN Meng|zhen |
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| Affiliation: | LIU Yu|zhen,SHI Wan|quan,HAN Yi|qin,LIU Shi|xiang,ZHAO Ling|li+1,SUN Bao|yin+1,YE Tian|chun+1 and CHEN Meng|zhen 1 |
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| Abstract: | With 4^66eV laser excitation,six photoluminescence emission peaks of LPCVD silicon nitride film are observed corresponding to 2^97,2^77,2^55,2^32,2^10 and 1^90eV respectively. The gap state model of LPCVD silicon nitride film have been made in this paper.The origin of these emission peaks are discussed. |
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| Keywords: | excitation LPCVD photoluminescence energy gap state model |
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