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MgxZn1-xO单晶薄膜的分子束外延生长及结构表征
引用本文:吴春霞,吕有明,李炳辉,赵东旭,刘益春,申德振,张吉英,范希武.MgxZn1-xO单晶薄膜的分子束外延生长及结构表征[J].功能材料与器件学报,2003,9(4):477-480.
作者姓名:吴春霞  吕有明  李炳辉  赵东旭  刘益春  申德振  张吉英  范希武
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),中国科学院知识创新工程项目,中国科学院"百人计划",国家自然科学基金,2001AA31112,,,60176003,60278031,,,,
摘    要:用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜.在0≤x≤0.2范围内MgxZn1-xO薄膜保持着六角纤锌矿结构不变.原位反射式高能电子衍射图样和X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜.随着x值逐渐增大,Mg2+离子逐渐进入ZnO的晶格,X射线双晶衍射测得样品的(002)取向的半高宽度从0.249°增加到0.708°,表明结晶质量逐渐下降,(002)方向的X射线衍射峰向大角度方向移动,晶格常数c由5.205(A)减小到5.185(A).透射光谱的结果表明,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动,室温光致发光谱出现很强的紫外发光(NBE)峰,没有观察到深能级(DL)发射,且随着Mg掺入量的增加,紫外发光峰有明显的蓝移,这与透射光谱的结果是相吻合的.

关 键 词:单晶薄膜  分子束外延生长  结构表征  P-MBE  X射线双晶衍射  光致发光  MgxZn1-xO合金薄膜
文章编号:1007-4252(2003)04-0477-04
修稿时间:2003年1月27日

Growth and characterization of MgxZn1- xO single- crystal thin films by plasma assisted molecular beam epitaxy
WU Chun - xia,LU You - ming,LI Bing - hui,ZHAO Dong - xu,LIU Yi - chun,SHEN De - zhen,ZHANG Ji - ying,FAN Xi - wu.Growth and characterization of MgxZn1- xO single- crystal thin films by plasma assisted molecular beam epitaxy[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(4):477-480.
Authors:WU Chun - xia  LU You - ming  LI Bing - hui  ZHAO Dong - xu  LIU Yi - chun  SHEN De - zhen  ZHANG Ji - ying  FAN Xi - wu
Abstract:
Keywords:Mg_xZn_(1-x)O  P - MBE  X-ray double crystal diffraction  photoluminescence
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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